免费下载应用手册《使用离子束制备SEM样品：徕卡EM TIC 3X三离子束研磨仪》

如今，离子束蚀刻技术是应用最广泛的电子显微镜样品制备方法。在蚀刻过程中，高能氩离子束轰击样品，并根据其应用领域调整离子束能量和切割角度。

在制备扫描电子显微镜样品时，离子束蚀刻可改善或修改样品表面质量。

首先，离子束刻蚀能够清洁、抛光或增加表面的衬度。经离子束处理的样品表面足以适用于各种灵敏的表面性能测试方法（如EBSD）。

另外，离子束刻蚀也可以通过斜面切割制备样品的横截面。

徕卡EM TIC 3X是一款离子束研磨仪，用于制备扫描电子显微镜样品。可以制备样品的横截面以及大面积表面。

样品的横截面还可以使用低能离子束再次处理。该处理过程既可以清洗横截面，也能增强其衬度。

另外，EM TIC 3X可以通过离子束抛光工艺改进样品的机械抛光表面。样品表面的最大离子束制备直径为

25mm，最大样品直径为38mm。

离子束抛光可以清洗、抛光样品表面，并增强其衬度，可以在一台仪器中完成所有类型的扫描电子显微镜样品制备流程。

该仪器配备了一个模块化的系统，可配置5种适用于不同应用的样品台：标准样品台，冷冻样品台，多样品台，旋转样品台和预抽真空系统，用以转移冷冻样品或易氧化的样品。EM TIC 3X的各样品台之间可以轻松转换。

标准样品台适用于众多不同尺寸、形状和材料的样品。冷冻样品台可制备对热敏感的样品，以防样品热损伤。最后，多样品台无须操作人员干预即可连续制备3个样品，保证高样品制备效率。

旋转样品台可以处理直径达38mm的样品表面。

整个样品制备过程和进展可以通过体视显微镜实时观察。另外，也可以选配内置相机拍摄存储样品照片。

EM TIC3X是一款将所有组件结合在一个外壳内的台式仪器。该仪器采用独特的三离子束技术。三离子束与挡板挡板边缘相交形成100°的切割扇区。该仪器使用鞍形场离子源，在离子束电压10kV和电流3 mA的条件下，切割速率可达300 µm/小时。

使用三离子束技术无需在离子研磨过程中移动样品。

我们将在下面详细讨论这项技术带来的众多益处。这些优点确保了高水平的制备质量。

制备样品横截面

离子束斜面切割是一种制备扫描电子显微镜(SEM)样品横截面的方法。这种方法源自Wolfgang Hauffe的一个想法,他最早使用这种方法来切割对角线。这就是为什么这种方法被称为斜面切割。最初的斜面切割原理如图2所示。用一个边缘锋利的挡板遮盖样品,将50-100μm的样品材料暴露在挡板之上。一束平行于挡板表面的离子束撞击未被遮盖的材料并将其切除。该过程就能制备表面质量良好的样品横截面。